近年來(lái)，一直發(fā)力第三代半導體測試解決方案的泰克科技，近期攜手英諾賽科一起致力于開(kāi)發(fā)氮化鎵的應用未來(lái)，雙方將合作攻克氮化鎵更快開(kāi)關(guān)速度、更高開(kāi)關(guān)頻率等一系列挑戰，讓優(yōu)異的氮化鎵產(chǎn)品進(jìn)入更多應用領(lǐng)域，一起為未來(lái)科技充電！

泰克科技

GaN測試挑戰

當前整個(gè)電源產(chǎn)業(yè)正發(fā)生著(zhù)深刻的變革，以SiC（碳化硅）、GaN（氮化鎵）為代表的寬禁帶半導體技術(shù)已經(jīng)在眾多行業(yè)中得到了廣泛的應用，也給電源的開(kāi)發(fā)測試工作帶來(lái)了眾多的挑戰。

氮化鎵器件柵極電荷和寄生電容小，可實(shí)現更快的開(kāi)關(guān)速度和更高的開(kāi)關(guān)頻率，同時(shí)這也帶來(lái)了測試的挑戰。一方面開(kāi)通關(guān)斷速度更快，需要測試到ps級的開(kāi)關(guān)速度，這需要示波器有更高的帶寬和共模抑制比；另一方面氮化鎵自身的寄生參數非常小，測試探頭的連接以及探頭電容引入的干擾會(huì )導致測量的波形不準確甚至損壞器件，特別是橋式驅動(dòng)上管測試中，經(jīng)常遇到驅動(dòng)信號的準確測試問(wèn)題。

因此高帶寬，高共模抑制比，引入寄生參數小是測量氮化鎵器件時(shí)需要注意的。

近年來(lái)，泰克科技始終密切跟蹤最新技術(shù)的進(jìn)展，通過(guò)和業(yè)內領(lǐng)軍企業(yè)的密切合作來(lái)開(kāi)發(fā)針對性的測試方案，基于其性能獨特的光隔離探頭以及示波器等產(chǎn)品，為廣大電源工程師們提供了卓越的完整測試解決方案。

英諾賽科

成立于2015年的英諾賽科，是一家專(zhuān)注于硅基氮化鎵研發(fā)與制造的IDM企業(yè)，率先建立起了全球首條8英寸硅基氮化鎵量產(chǎn)線(xiàn)，主要生產(chǎn)30V-150V的低壓氮化鎵、650V及以上的高壓氮化鎵，應用于5G基站、工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)、數據中心、自動(dòng)駕駛、5G通訊、快充等領(lǐng)域，在全球氮化鎵功率廠(chǎng)商出貨量排行榜中名列前三。

英諾賽科通過(guò)自主研發(fā)，攻克了8英寸硅晶圓襯底上外延生長(cháng)氮化鎵單晶材料的世界級難題，首次實(shí)現8英寸硅基氮化鎵外延與芯片的大規模量產(chǎn)，同時(shí)填補了國內在該領(lǐng)域的空白。氮化鎵作為第三代半導體材料，具有寬禁帶、高擊穿場(chǎng)強、高電子遷移率、高電子飽和漂移速度等特點(diǎn)。這些特點(diǎn)就使得氮化鎵功率器件柵極電荷和輸出電容更小，無(wú)反向恢復，單位面積的導通電阻更小等特性。由此可以實(shí)現應用系統的高頻率、高效率和高功率密度。

憑借優(yōu)異的物理特性，氮化鎵給產(chǎn)業(yè)應用帶來(lái)巨大的系統優(yōu)勢，應用前景非常廣闊。隨著(zhù)規�；�生產(chǎn)技術(shù)成熟，氮化鎵將成為未來(lái)功率半導體的主流，在消費電子、數據中心、5G基站、新能源車(chē)等多個(gè)領(lǐng)域，其需求將迎來(lái)爆發(fā)式增長(cháng)。這些應用領(lǐng)域也是泰克近年的業(yè)務(wù)側重方向。

未來(lái)，泰克科技和英諾賽科雙方將共同致力于第三代半導體硅基氮化鎵芯片的研發(fā)與測試，攜手解決氮化鎵一系列挑戰，用創(chuàng )新和科學(xué)改變未來(lái)。

直擊氮化鎵領(lǐng)域無(wú)限可能

作為測試測量行業(yè)的領(lǐng)先者，泰克始終堅持其先進(jìn)技術(shù)貫穿第三代半導體產(chǎn)品研發(fā)、生產(chǎn)及應用的整個(gè)鏈條。泰克除了協(xié)助上游廠(chǎng)家設計生產(chǎn)更加可靠高質(zhì)量的功率器件，更會(huì )加力幫助功率器件應用領(lǐng)域開(kāi)拓者，發(fā)揮其最優(yōu)性能以設計更好的電源產(chǎn)品，攜手創(chuàng )建氮化鎵領(lǐng)域的無(wú)限可能！

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