S530參數測試系統 |
作者:admin 來(lái)源:原創(chuàng ) 發(fā)布日期:2020-4-10 9:46:08 點(diǎn)擊次數:1627 |
S530參數測試系統采用了成熟的源和測量技術(shù),可滿(mǎn)足工藝控制監測、工藝可靠性監測以及器件特性分析所需的全部直流和C-V測量。 主要特點(diǎn):
針對高混合測試環(huán)境優(yōu)化設計S530參數測試系統針對必須面對各種器件和技術(shù)的生產(chǎn)和實(shí)驗室環(huán)境優(yōu)化設計,具有測試規劃靈活性、自動(dòng)測試功能、探針臺集成以及測試數據管理能力。這些測試解決方案的設計凝聚了吉時(shí)利為客戶(hù)提供各種各樣的標準和定制參數測試系統的寶貴經(jīng)驗。 簡(jiǎn)單的軟件遷移和高度的硬件重用S530系統的設計加速和簡(jiǎn)化了系統啟動(dòng)過(guò)程,并實(shí)現了現有測試資源的最大重用。例如,控制這些系統的軟件兼容很多新出和遺留的自動(dòng)探針臺,所以就省去了購買(mǎi)新設備的費用。此外,S530的接線(xiàn)引出(cabled-out)配置通常允許繼續使用現有的探針卡庫。多項可選的應用服務(wù),能夠幫助用戶(hù)充分利用現有探針儀和探針卡投資的全部?jì)r(jià)值。吉時(shí)利還可幫助用戶(hù)加快開(kāi)發(fā)新的測試配置,或將現有測試配置轉換用于S530系統。 半導體行業(yè)強大的標準參數測試系統提供兩種不同的系統配置,能夠滿(mǎn)足不同的參數測試應用環(huán)境。S530小電流系統可配置2至8路源測量單元(SMU)通道,具有亞皮安級測量分辨率,并為探針卡提供了全面的小電流保護,使其非常適合于亞微米MOS硅工藝的特性分析。S530高電壓系統可配置3至7路SMU通道,能夠源出高達1000V的電壓,可用于汽車(chē)電子和功率管理器件所需的各種擊穿和漏流測試。 全部S530系列系統都配備有大功率SMU,在200V和20V量程均可提供高達20W源出或吸入能力,這種功率水平對于當今移動(dòng)設備中普遍存在的大功率器件及電路的完整特性分析至關(guān)重要。無(wú)論是測試LDMOS Si 還是GaN BJT的應用,這種大功率能力都提供了對器件性能的更大可見(jiàn)性。這意味著(zhù)S530系統既可應對大功率器件測試,又不會(huì )影響監測主流器件工藝所需的小電流亞皮安靈敏度。相比之下,競爭參數測試系統卻受限于中等功率的2W SMU儀器,因此不能與S530系統的應用范圍相提并論。 完全開(kāi)爾文標準配置由于接口電纜和通路上電壓降的原因,往往高于幾個(gè)毫安的電流就會(huì )導致測量 誤差,為預防這種測量完整性的下降,小電流和高電壓S530系統在探針卡均提供了完全開(kāi)爾文測量配置(也稱(chēng)為遠端電壓檢測)。完全開(kāi)爾文測量對于確保S530系統中大功率SMU儀器的20W能力的測量準確度尤其重要。 強大的高電壓參數測試系統S530高電壓半導體參數測試系統是能夠在多達24個(gè)引腳上實(shí)現完全開(kāi)爾文高電 壓性能的參數測試儀,這種能力對于當今高功率器件的特性分析來(lái)說(shuō)是無(wú)價(jià)之寶。系 統采用了可源出1000V@20mA(最大20W) 的高電壓SMU。利用兩個(gè)高電壓通路,可進(jìn)行直接高邊電流測量(采用單個(gè)SMU源出和測量DUT的高邊)或更高靈敏度低邊小電流測量(采用一個(gè)SMU源出高電壓至DUT的高邊,另一個(gè)SMU用于低邊0V并測量電流)。 系統架構每套S530系統配置由5層組成:
信號通路每套S530測試系統的核心是一組通過(guò)系統開(kāi)關(guān),直接連接儀器和測試引腳之間 信號的高保真度信號通路。S530具有8條高保真度通路,可用于動(dòng)態(tài)連接儀器和引腳。例如,同時(shí)可將最多8個(gè)SMU儀器連接至任意引腳(或多個(gè)引腳)。S530小電流系統采用開(kāi)關(guān)矩陣,在全部8條通路上提供一致的性能。S530高壓系統采用帶特定通路的開(kāi)關(guān)矩陣,提供高電壓/小漏流測量,以及C-V測量。請參閱7174A型和 7072-HV數據表獲取有關(guān)信號通路的更多細節。
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